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类别是'category.MOSFETs 晶体管阵列' (10000)

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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	安装类型	包装/外壳	表面安装	供应商器件包装	材料	终端数量	晶体管元件材料																Maximum Drain Source Resistance (MOhm)								厂商																																										操作温度	包装	系列	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	ECCN 代码	端子表面处理	技术	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	Reach合规守则	引脚数量	JESD-30代码	资历状况	配置	操作模式	箱体转运	场效应管类型
IRF7342HR	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Si	105@10V	26@10V	26	690@25V	2000	22	10	43	14	-55	150								无	无	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	2	55	±20	1(Min)	3.4		卷带				Obsolete													双排双泄															P
IRF7491TRPBF	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	16@10V	SOP	SOIC	Gull-wing								Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	80	±20	9.7	51@10V	51	2940@25V	2500	10	19	32	22	-55	150	表面贴装		1.5(Max)	4(Max)	5(Max)	8		卷带				Obsolete										8			单四漏三源															N
IRFH9310TR2PBF	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Si	5	8	QFN	PQFN	No Lead							Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	30	±20	21	4.6@10V	110@10V\|[email protected]	110	5250@15V		3100	70	47	65	25	-55	150		表面贴装	0.95(Max)	6		卷带				Obsolete										8			单四漏三源															P
IRFC250NB	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	Die	Die	Infineon Technologies	EAR99	无	无	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	200	Die	Die	Bulk	-	-	-		Obsolete					供应商未确认	-		HEXFET®			Obsolete					MOSFET (Metal Oxide)								Single			-		-	-	200 V	-											-
IRFMG40A	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Tab	TO-254AA									供应商未确认	1000	1250000	通孔	13.84(Max)		6.6(Max)	13.84(Max)	3						活跃										3																		N
IRFR220NHR	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	600@10V	15	300@25V	43000	12	11	20	6.4	-55	175									无	无	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	200	±20	5	15@10V		卷带				Obsolete													Single															N
BSO051N03MSGXT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	4(Max)	5(Max)	8	SOP	DSO	Gull-wing								Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	OptiMOS	Enhancement	1	30	±20	14	5.1@10V	[email protected]\|41@10V	41	3200@15V		2500	8	7.6	20	15	-55	150		表面贴装	1.65(Max)		卷带				Obsolete										8			单四漏三源															N
IRLML2246TRPBF-1	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1				150	-55	5.3	26	7.7	16	1300	220@16V	2.9	2.9@10V	[email protected]	1	100	2.6	1.1		±12	20	1	Enhancement	HEXFET	功率MOSFET	无		无	EAR99	Compliant						卷带				Obsolete													Single															P
IRFR3709ZCTRRP	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	79000	2330@15V	[email protected]	6.5@10V	86	±20	30	1	Enhancement	HEXFET								符合免除	EAR99	有	有	无	无	功率MOSFET	Gull-wing	DPAK	TO-252	Tab	2	6.73(Max)	6.22(Max)	2.39(Max)		表面贴装	175	-55	12	15	12	3.9			卷带				Obsolete										3			Single															N
SP000313946	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	有	功率MOSFET	CoolMOS	Enhancement	1	600	±20	4.5	950@10V	17.6@10V	17.6	580@25V		50000	15	30	60	55	-55	150									符合免除	EAR99	有		卷带				Obsolete													Single															N
IPI90N04S402BAKSA1	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	23		-55	175	汽车	通孔	9.25	4.4	10	3	Tab	I2PAK	TO-262	通孔								±20	40	1	Enhancement	OptiMOS	功率MOSFET	Unknown	有	有	有	EAR99	符合免除	90	2.5@10V	91@10V		91	7250@25V	150000	26	13	27		Tube				Unconfirmed										3			Single															N
IRFR9024NCPBF	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	2	SILICON	±20	11	175@10V	19(Max)@10V		19(Max)	350@25V	38000	37	55	23	13		-55	150	表面贴装	2.39(Max)	6.22(Max)	6.73(Max)	2	Tab	TO-252	DPAK	LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3	小概要	1	PLASTIC/EPOXY	30	150 °C	有	IRFR9024NCPBF	RECTANGULAR	International Rectifier	1	Obsolete	INTERNATIONAL RECTIFIER CORP	5.05	TO-252AA	11 A					符合免除	EAR99	有	有	无	无	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	55				e3		Obsolete	EAR99	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	雪崩额定	其他晶体管		SINGLE	鸥翼	260	not_compliant	3	R-PSSO-G2	不合格	Single	增强型MOSFET	DRAIN		SWITCHING		P-CHANNEL	TO-252AA	11 A	0.175 Ω	44 A	55 V	P	62 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	38 W
IRLR8203TRRPBF	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	2	SILICON	±20	110	6.8@10V	[email protected]		2430@15V	140000	69	99	30	15	-55		175	表面贴装	2.39(Max)	6.22(Max)	6.73(Max)	2	Tab	TO-252	DPAK	Gull-wing	30 A	TO-252AA	5.38	INTERNATIONAL RECTIFIER CORP	Obsolete	1	International Rectifier	RECTANGULAR	IRLR8203TRRPBF	有	175 °C	30	PLASTIC/EPOXY	1	小概要	LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3					符合免除	EAR99	有	有	无	无	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	30		卷带		e3		Obsolete	EAR99	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier				SINGLE	鸥翼	260	unknown	3	R-PSSO-G2	不合格	Single	增强型MOSFET	DRAIN		SWITCHING		N-CHANNEL	TO-252AA		0.0068 Ω	120 A	30 V	N	310 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
SPP18P06PXK	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	81100	11		5.8	25	12	-55	175	通孔	9.45(Max)	4.57(Max)	10.36(Max)	3	Tab	TO-220	TO-220								无	无	功率MOSFET	SIPMOS	Enhancement	1	60	±20	4	18.7	130@10V	Compliant	EAR99	21@10V	21		11	4.1	139	690@25V	230		Tube				Obsolete										3			Single															P
IRLR7821CTRPBF	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	75000	3.2	4.2	10	11	-55		175	表面贴装	2.39(Max)	6.22(Max)	6.73(Max)	2	Tab	TO-252	DPAK	Gull-wing	1	175 °C	有	IRLR7821CTRPBF	International Rectifier	Obsolete	INTERNATIONAL RECTIFIER CORP	5.84							符合免除	EAR99	有	有	无	无	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	30	±20	65	10@10V	[email protected]		1030@15V		卷带		e3	有	Obsolete		Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier		FET 通用电源					not_compliant	3			Single	增强型MOSFET								N-CHANNEL		65 A		N	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	75 W
DE275-201N25A	IXYS Integrated Circuits Division / Littelfuse	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	175	表面贴装		3.3(Max)	16.51	15.6	6	Case 275	,	未说明	有	DE275-201N25A	IXYS Corporation	Obsolete	IXYS CORP	8.63								Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	200	±20	25	130@15V	81@10V	81	2500@160V	590000		8	5	8	5	-55					有		EAR99			FET 通用电源				未说明	compliant	6		不合格	单四源															N			甚高频段
SPB11N60S5XT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	380@10V	表面贴装	4.4	9.25	10	2	Tab	TO-263	D2PAK	Gull-wing								符合免除	EAR99	有	有	无	无	功率MOSFET	CoolMOS	Enhancement	1	600	±20	11	41.5@10V	41.5	1460@25V	125000	20	35	150	130	-55		150		卷带				Obsolete										3			Single															N
SP000307381	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	-55	150	表面贴装	2.3	6.22	6.5	2	Tab	TO-252	DPAK								符合免除	EAR99	有	有	无	无	功率MOSFET	CoolMOS	Enhancement	1	600	±20	9	385@10V	17@10V		17	790@100V	83000	5	5	40	10			卷带				Unconfirmed										3			Single															N
PSMN8R5-108ESQ	Nexperia	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	175	通孔	9.4(Max)	4.5(Max)	10.3(Max)	3	Tab	I2PAK								供应商未确认	EAR99	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	108	20	4.5	100	100	1	8.5@10V	111@10V		111	5512@50V	263000	43	35	87	20		-55						Obsolete										3			Single															N
IXZH10N50LA	IXYS Integrated Circuits Division / Littelfuse	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	1000(Typ)@20V	TO-247AD, 3 PIN	未说明	有	IXZH10N50LA	IXYS Corporation	Obsolete	IXYS CORP	5.82	TO-247AD								Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	500	±20	6.5	10	100	50	3000	-55	175	通孔	21.46(Max)	5.3(Max)	16.26(Max)	3	Tab		TO-247AD					有	Obsolete								未说明	compliant	3		不合格	Single															N					甚高频段
BUK7K5R6-30E	Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		10	17.9	9.2	-55	175	表面贴装	1.05(Max)	4.7(Max)	5.3(Max)	8	LFPAK-D								符合免除	EAR99	有	有	有	Unknown	功率MOSFET	TMOS	Enhancement	2	30	20	4	40	100		1	5.6@10V	29.7@10V	29.7	1477@25V	64000	12.9						活跃										8			双排双泄															N
BUK9Y53-100B/C,115	Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Tab	LFPAK									供应商未确认	有	Unknown	表面贴装	1.1(Max)		4.1(Max)	5(Max)	4		卷带				Unconfirmed										5
PSMN2R8-40BS.118	Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1				符合免除	EAR99	8541.29.00.95	有	有	功率MOSFET	Enhancement	1	40	20	4	100	100	10	2.9@10V		71@10V\|61@10V	71	4491@20V	211000	23	29	52		28	-55	175						卷带				活跃													Single															N
PIP3117-B,118	Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		供应商未确认	EAR99	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	50	16	100	65000	35000	30000	70000	15000		-55	150	表面贴装	4.5(Max)	9.4(Max)	10.3(Max)	2		Tab	D2PAK								卷带				Obsolete										3			Single															N
BUK9Y09-40B/C,115	Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1								供应商未确认	EAR99	有	Unknown	功率MOSFET	Enhancement	1	40	15	75	8@10V	30@5V	2150@25V	105300	83		92	97	29	-55	175	表面贴装	1.1(Max)		4.1(Max)	5(Max)	4	Tab	LFPAK		卷带				Unconfirmed										5			单一三源															N